产品 >> 分立半导体产品 > 功率晶体管（BJT、JFET、MOSFET、IGBT等）

功率晶体管是用于处理高功率信号的半导体器件。

双极结型晶体管（BJT）通过基极电流控制集电极 - 发射极电流，电流增益高，适用于音频功率放大等低频高功率场景，但开关速度相对慢些。

结型场效应晶体管（JFET）利用电场控制沟道电流，输入阻抗高，噪声低，可用于信号放大和开关电路，不过功率处理能力有限。

金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）通过栅极电压控制源极 - 漏极电流，输入阻抗极高、开关速度快，用于高频功率应用和电源管理，如电脑主板电源。

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）结合了 BJT 和 MOSFET 的优点，具有高输入阻抗、低导通压降和高耐压能力，常用于电机控制、逆变器等大功率工业应用。

功率晶体管的主要参数如下：

电压参数25：
- 击穿电压：包括集电极 - 发射极击穿电压、集电极 - 基极击穿电压、发射极 - 基极击穿电压等。这些电压值决定了功率晶体管能够承受的最大电压上限，超过该电压可能会导致晶体管损坏。例如，在高压电源电路中，就需要选择击穿电压较高的功率晶体管。
电流参数：
- 集电极最大电流：指功率晶体管的集电极能够允许通过的最大电流值。实际使用中，通常要留一定的裕量，一般只用到该值的 1/3 到 1/2，超过此电流会使晶体管过热甚至损坏2。
- 饱和电流：在饱和状态下，晶体管集电极和发射极之间的电流。对于功率晶体管在开关电路中的应用，饱和电流是一个重要的参数，影响着晶体管的开关性能。
功率参数：
- 最大耗散功率：是指在最高工作温度下，功率晶体管允许的耗散功率。功率晶体管在工作时会产生热量，若耗散功率超过该值，会导致晶体管温度过高而损坏。产品手册中给出该参数时，通常会同时给出壳温，间接表示最高工作温度。
频率参数：
- 特征频率：当晶体管的电流放大倍数下降到 1 时所对应的频率。它反映了功率晶体管在高频信号下的放大能力，对于工作在高频电路中的功率晶体管，特征频率是一个重要的参数。
放大倍数参数：
- 电流放大倍数：对于双极型功率晶体管，定义为集电极电流与基极电流之比，体现了基极电流对集电极电流的控制能力。
- 跨导：对于场效应功率晶体管，跨导是衡量栅极电压对漏极电流控制能力的参数，即漏极电流的变化量与栅极电压变化量之比。
开关时间参数：
- 开通时间：从控制信号使功率晶体管开始导通到完全导通所需要的时间。
- 关断时间：从控制信号使功率晶体管开始关断到完全关断所需要的时间。开关时间参数对于功率晶体管在高频开关电路中的应用非常重要，影响着电路的工作效率和性能。
极间电容参数：包括栅源电容、栅漏电容、漏源电容等。极间电容会影响功率晶体管的开关速度和高频性能，在高频电路设计中需要考虑这些电容的影响。
最大允许结温：功率晶体管的结温过高时会导致热击穿而烧毁，该参数是功率晶体管能够正常工作的最高允许结温